Во время конференции по силовой электронике (Applied Power Electronics Conference, APEC) в Далласе компания Infineon Technologies продемонстрировала диоды Шоттки второго поколения, изготовленные на основе соединений карбида кремния (silicon carbide, SiC). Новые устройства обеспечивают минимум вдвое лучшие характеристики по величине тока и обладают более высокой стойкостью к перегрузкам, что дает возможность применять их в схемах с большими пусковыми токами.
Диоды Шоттки на основе карбида кремния позволят разработчикам полупроводниковых элементов создавать устройства меньшего размера при тех же, или лучших характеристиках по сравнению с предыдущим поколением, при этом себестоимость изготовления может быть снижена на 30-50%. Новая разработка идеально подходит для применения в схемах активной компенсации импульсной нагрузки (Power Factor Correction, PFC) в соответствующих блоках питания.Рост рынка PFC, как ожидается, будет достаточно стремительным благодаря существованию европейских норм, требующих реализации таких схем в импульсных блоках питания мощностью более 75 Вт. Прогнозы по увеличению объема рынка – от 1,2 млрд. устройств в 2006 г. до 2,1 млрд. в 2011 г., с ежегодным приростом около 12,3%.
Существующие образцы диодов Шоттки на основе карбида кремния доступны в исполнении, рассчитанном на напряжение до 600 В. В качестве примера цен приводится модель IDT04S60C – она стоит по 1,8 долл. за штуку в партиях по 10 тыс. шт. По материалам: 3dnews.ru