Память следующего поколения на нанотрубках

Память следующего поколения на нанотрубках



Компьютеры

В январе 2002 года ученые Каньшуй Чжен (Quanshui Zheng) из Университета Цинхуа (Tsinghua University) в Пекине и Кин Цзян (Qing Jiang) из Калифорнийского университета опубликовали интересную работу "Multiwalled Carbon Nanotubes as Gigahertz Oscillators".

Исследователи установили, что группа концентрических нанотрубок, вложенная внутрь другого набора трубок, может скользить назад и вперед со скоростью порядка миллиард раз в секунду, т.е. с частотой, исчисляемой гигагерцами. Такие нанотрубки получили название "скоростных", или телескопических.

На этом явлении основана новая разработка группы ученых под руководством уже известного нам Кина Цзяна и Йона Вон Кана (Jeong Won Kang). Сообщается, что новый тип памяти объединяет в себе скорость RAM и при этом иметь все преимущества энергонезависимой памяти. Исследователи спроектировали накопитель на основе энергонезависимой памяти емкостью 1 терабит. Отмечается, что плотность нового типа памяти будет значительно превосходить все существующие на сегодняшний день кремниевые решения. В общих чертах понять суть новой разработки можно из нижеприведенного рисунка.

Память следующего поколения на скоростных нанотрубках

Как видите, в нанотрубку помещают другую нанотрубку значительно меньшего диаметра. Эта внутренняя нанотрубка получила название "телескоп". Эта система помещается между двумя нейтрально заряженными электродами. При заряжении одного электрода зарядом одного знака, а "телескопа" – противоположного знака, внутренняя нанотрубка начинает притягиваться к соответственному электроду. Происходит это явление под действием сил Ван-дер-Ваальса, которые хорошо известны из университетского курса физики. Особо отмечается устойчивость состояний в положении "возле электрода", которые сохраняются после окончания действия электрического поля.

Для создания электродов использовалась платина. Исследователи достигли впечатляющих результатов: переключение состояний осуществлялось всего за 10-11 с, а стирание данных с одной ячейки памяти происходит за 10-12 с. Ученые своими заявлениями внушают оптимизм относительно будущего нового типа памяти, но остаются нерешенными еще ряд проблем. К примеру, эксперименты успешно проходили только при очень низкой температуре в 1 градус Кельвина (-272,5 C°). Так что о сроках получения первого, работающего при комнатной температуре образца, не говоря уже о коммерциализации новой технологии, говорить пока не приходиться.

По материалам: 3D News






Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 12-02-2007, 16:47 | Просмотров: 1353 | Комментарии (4)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:

stepa

0

с такими темпами роста производтельности и объемов инфы лет этак через 5-8 дома можно будет поставить комп по мощности с приличный дата-центр))

12 февраля 2007 18:16

dr.Z

0

с таким развитием вообще подобных отраслей, через 10 лет из дому вообще можно будет не выходить, просто надобности не будет...

13 февраля 2007 19:45

Ёксель

0

Ребята, мне страшно!

15 февраля 2007 12:53

anonymous @ 89.110.25.214

0

И ничего удивительного! Сначала микросхемы(E-6), потом наносхемы (E-9), затем пикосхемы (E-12) и т. д.

16 февраля 2007 12:04


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 4 (0,0725).