«Трековая память» заменит флєш- и магнитную память

Компьютерная память, превосходящая современную флэш-память и магнитные диски по производительности, надежности и плотности при меньшей цене, может прийти к потребителям раньше, чем было принято думать, благодаря команде ученых IBM. Группа исследователей под руководством Стюарта Паркина (Stuart Parkin) разработала технологию, получившую название «трековая память» (racetrack memory — слово racetrack переводится, как «беговая дорожка, трек»).

Разработка может стать ключом к созданию нового поколения приборов памяти, с невероятными сегодня значениями плотности хранения и быстродействия. Важными достоинствами новой памяти является малое энергопотребление и невысокая стоимость. Как и в случае флэш-памяти, накопители на базе новой памяти не будут иметь движущихся частей, что положительно сказывается на надежности. В отличие от флэш-памяти, новая память не имеет эффекта «изнашивания».

Принцип работы «трековой памяти» построен на возможности хранения информации в стенках магнитных доменов — границах микроскопических областей в магнитных материалах. Для чтения и записи информации используется взаимодействие между стенками доменов и электронами за счет момента переноса спина, возникающего при движении электрона. На схемах показано, как информация записывается и считывается в колонках магнитного материала («беговых дорожках» или «треках»), расположенных параллельно или перпендикулярно поверхности кремниевой пластины.

Ученым уже удалось теоретически обосновать принципы работы памяти нового типа и проверить их в действии. Результаты экспериментов подтвердили жизнеспособность идеи. По мнению ученых, появления новой памяти в практическом применении можно ожидать в ближайшие десять лет.

По материалам: IXBT.com