Samsung: модули DDR3 плотностью 4 гигабита

Samsung: модули DDR3 плотностью 4 гигабита



Компьютеры

Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 плотностью четыре гигабита. Она выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.

Для работы четырехгигабитного чипа памяти DDR3 необходимо напряжение в 1,35 вольта. Это на 20 процентов меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3.

Энергопотребление 16-гигабайтного модуля DDR3 на базе четырехгигабитных микросхем на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного модуля, созданного на основе двухгигабитных чипов.

Представители Samsung подчеркивают, что четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.

В сентябре 2008 года Samsung анонсировал двухгигабитные чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нанометровой технологии. В настоящее время линейка 50-нанометровых чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы плотностью один, два и четыре гигабита.

В гигабитах (Gb) измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.






Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 2-02-2009, 17:37 | Просмотров: 2956 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (0,0329).