IBM совершенствует технологии изготовления РСМ-памяти

Память, созданная по технологии фазового перехода (Phase-change memory, PCM), имеет более высокую производительность по сравнению с флэш-памятью, и при этом также является энергонезависимой. Ожидается, что она будет весьма востребованной и найдёт применение в самом широком спектре рынка – от мобильных телефонов до высокопроизводительных серверов.

Устройства PCM производят запись и поиск информации до 100 раз быстрее, чем флэш-накопители. Кроме того, существенно поднимется долговечность – накопитель PCM сможет выдержать по меньшей мере 10 миллионов циклов перезаписи, тогда как в случае с флэш-памятью эта цифра колеблется от 3 до 30 тысяч, в зависимости от класса устройства.

Одной из главных проблем новой технологии является то, что со временем происходит "релаксация" атомов в аморфном состоянии, и повышается сопротивление наиболее часто используемых ячеек памяти, что приводит к ошибкам чтения. По информации сайта TG Daily, инженерам фирмы IBM удалось справиться с этой проблемой за счёт особого кодирования, оставляющего общий уровень сопротивления ячеек неизменным. Модуль памяти с использованием данной кодировки был испытан в течение 5 месяцев, и признан вполне надёжным для коммерческого использования. Однако, по-прежнему остаются проблемы низкой плотности записи и высокой себестоимости таких устройств. По прогнозам специалистов, появление первых накопителей, сделанных по технологии фазового перехода, ожидается примерно через пять лет.