Fujifilm патентует органический датчик изображения

Компания Fujifilm запатентовала датчик изображения, в котором фотоэлектрический слой органического материала наносится поверх кремниевой схемы. Главное отличие от существующих датчиков типа CMOS и CCD как раз и заключено в наличии слоя органического материала, в котором происходит преобразование света в электроны, которые затем «считываются» кремниевой схемой, расположенной ниже.

По словам Fujifilm, такой подход обеспечивает несколько преимуществ над традиционными технологиями.

Фоточувствительный слой по размерам равен всей площади датчика — отсутствуют потери на служебные цепи, свойственные кремниевым датчикам. Это позволяет повысить светочувствительность и устраняет потребность в микролинзах, направляющих свет на светочувствительные элементы. Отсутствует необходимость разделять светочувствительный слой на отдельные светочувствительные элементы, что может снизить затраты на производство. Спектр чувствительности органического материала устраняет потребность в инфракрасном фильтре.

В качестве же основного достоинства преподносится возможность дальнейшего повышения разрешения датчиков.



По оценке специалистов, от применения в серийных продуктах разработку отделяет несколько лет.