Ученые ускорили фазовую память

Ученые ускорили фазовую память



Компьютеры

Память, в которой для представления информации используется изменение фазового состояния вещества, точнее говоря, переход между аморфной и кристаллической структурами, характеризующимися разным сопротивлением, является одним из кандидатов на замену флэш-памяти. В то же время, в самом принципе работы этой памяти кроется противоречие: легкий переход между состояниями позволяет повысить скорость записи, но отрицательно сказывается на надежности хранения.

Исследователям из Кембриджского университета удалось повысить скорость записи, не жертвуя надежностью. Идея заключается в том, чтобы «подготовить» вещество к кристаллизации, в результате чего она происходит быстрее. Подготовка заключается в создании слабого электрического поля. Ученые использовали компаунд из германия, сурьмы и теллура. Им удалось получить время кристаллизации 500 пикосекунд, что в десять раз превосходит прежний результат.

Хотя о практическом применении открытия пока говорить рано, по словам исследователей, оно может помочь в создании энергонезависимой памяти, работающей на частоте 1 ГГц и более.



Теги: Память, Фазовая, Скорость, Запись




Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 26-06-2012, 18:56 | Просмотров: 1430 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (0,0297).