Новый полупроводниковый материал — сульфид молибдена(IV), также известный как дисульфид молибдена (MoS2) — по словам швейцарских ученых, позволит существенно снизить энергопотребление транзисторов и использовать более тонкие нормы техпроцесса. Об этом свидетельствуют исследования, проводимые в Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL).

Органические светоизлучающие диоды (OLED) позиционируются как замена многим источникам освещения в будущем, и ученые продолжают работу над усовершенствованием технологии. Недавно были разработаны "жидкие OLED" – диоды, в которых используется жидкий органический полупроводниковый слой для переноса заряда.

Ученые из Мэрилендского университета подтвердили, что в материале под названием графен электроны перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии, который используется в качестве полупроводниковой подложки в микросхемах, пишет издание TG Daily.

Графен, который представляет собой слой атомов углерода, соединенных посредством sp2 связей в гексагональную двумерную кристаллическую решетку, позволяет ускорить перемещение электронов в сотню раз.

Специалисты из корейского университета POSTECH разработали первый в мире источник света с использованием голубого лазера

Подобно LED в технологии использован полупроводник, однако по сравнению со светодиодами новый источник света будет в тысячи раз быстрее при меньших затратах энергии.

«Кремниевые чернила», предназначенные для печати электронных схем на гибких подложках, показала на конференции Printed Electronics, завершившейся на этой неделе в Сан-Франциско, компания Kovio.

По словам разработчика, материал позволяет создавать тонкопленочные транзисторы, которые по техническим характеристикам сопоставимы с транзисторами из поликристаллического кремния, но стоят в три раза меньше.

Память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) имеет потенциал стать альтернативой оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти.

Для записи информации в PRAM используются разные фазовые состояния материала – кристаллическое и аморфное. Изменение состояния происходит под действием электрических импульсов. Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников.

Японские ученые из Национального института передовой промышленной науки и технологии (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) разработали новую полупроводниковую структуру, которая может использоваться в качестве ультрафиолетового лазера в оптическом приводе.

Изобретение, как утверждают его создатели, поможет достичь более высокой плотности записи информации на гибкий диск.

Гибкие растягивающиеся электронные структуры, которые могут использоваться для изготовления датчиков и электронных приборов, интегрируемых в искусственные мышцы и биологические ткани, разрабатываются учеными из Аргоннской национальной лаборатории и Иллинойского университета.

На основе этих структур также могут быть созданы чувствительные гибкие датчики водорода.

Компания Fujifilm разработала органический полупроводник n-типа и показала транзистор, сделанный из этого материала, на конференции-выставке Advanced Surface Technology Exhibition & Conference (ASTEC 2007), прошедшей с 21 по 23 февраля в Токио.

Основой полупроводника стал материал фталоцианин (phthalocyanine), который во время использования в производстве транзисторов находится в жидком состоянии. Очевидно, такая особенность вносит заметные изменения в технологический процесс. Говоря простым языком, органические транзисторы можно просто печатать устройством, напоминающим по принципу действия знакомый всем струйный принтер.

RFID-чипы (радиочастотные идентификаторы) становятся все меньших и меньших размеров. Во вторник (13.02), Hitachi представила RFID-чип размером 0.05 x 0.05 мм!

На рынке такие чипы появятся через 2-3 года. Полагаясь на технологию производства миниатюрных полупроводников и используя электронные лучи для записи данных на подложке чипа, Hitachi удалось создать чип RFID в 64 раза меньше, чем нынешний (0.4 x 0.4 мм).

Одна из основных проблем, которые придется решить производителям полупроводников при разработке более совершенной продукции новых поколений – повышение быстродействия и минимизация энергопотребления.

Это заставляет исследовательские коллективы компаний изыскивать все новые и новые решения, которые бы позволили, в первую очередь, усовершенствовать базовые элементы, лежащие в основе любой микросхемы, то есть – транзисторы.