Компания Micron Technology объявила о создании своего первого «полнофункционального» модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому внедрению новинки в 2013 году.

Впервые анонсированная на мероприятиях Storage Visions 2012 и CES 2012 разработка OCZ Technology в области твердотельных накопителей, получившая название æonDrive, была представлена в ходе выставки CeBIT.

Компания Venray Technology предложила новый подход к проектированию и производству микропроцессоров. Идея заключается в интеграции процессора непосредственно в микросхему динамической памяти с произвольным доступом.

На Конференции Intel для разработчиков в Сан-франциско генеральный директор Intel по технологиям Джастин Раттнер (Justin Rattner) представил разработку под названием Hybrid Memory Cube (HMC) — новое слово в сегменте DRAM-памяти. Над ее созданием Intel трудилась совместно с Micron.

Компания Transcend Information с гордостью заявила о выпуске своих новых продуктов – 8-Гб модулей памяти DDR3-1066 RDIMM и 4-Гб низкопрофильных модулей DDR3-1333 VLP (Very Low Profile) RDIMM. Новинки отличаются от предшественниц более высокими производительностью и емкостью. Отмечается встроенный температурный датчик.

1960-е – период больших событий и перемен в жизни населения планеты. Карибский кризис, первый полёт человека в космос, первая высадка на Луну. И если связанные с ними даты вписывались в исторические хроники как важнейшие практически моментально, то другие свершения, осуществлявшиеся в наполненных оборудованием лабораториях, получали заслуженные почести далеко не сразу.

Оперативная память является одним из основных компонентов современного персонального компьютера, и от производительности DRAM-устройств напрямую зависит и производительность всей системы.

Компания Violin Memory, специализирующаяся на решениях в области масштабируемых подсистем памяти, представила решение, имеющее, по ее собственному утверждению, максимальную в отрасли плотность хранения. Речь идет о подсистеме памяти Violin 1010 Memory Appliance.

Предназначенное для суперкомпьютеров в вычислительных центров, решение обеспечивает установку 504 Гб памяти DRAM в одном шасси форм-фактора 2U (3,5-дюймовой высоты) и поддерживает масштабирование до объемов, превышающих 1 Тб. Если верить производителю, Violin 1010 в шесть раз превосходит по плотности хранения другие продукты такого рода, представленные на рынке.

Большинство выпускаемых сегодня твердотельных накопителей используют флэш-память типа NAND. По другому пути пошла компания Attorn BV, анонсировавшая свой Hyperdrive4 - здесь в качестве носителя информации применена DRAM с коррекцией ошибок.

Такой подход имеет очевидное преимущество в виде резко увеличившейся скорости работы и низких задержек при чтении/записи данных.

Компания Texas Memory Systems анонсировала самый большой массив твёрдотельных накопителей за всю историю индустрии. Называется система Tera-RamSan и доступна в различных конфигурациях, самая большая ёмкость - 1 Тб.

Tera-RamSan представляет собой стойку из 9U серверов, объединённых 4 Гбит оптоволоконным каналом. Система работает как сервер NAS и оснащена портами Ethernet и Fiber-channel.

Южнокорейская компания Samsung Electroniсs объявила о начале массового производства модулей памяти DDR2 по нормам 80-нанометрового технологического процесса.

Пока по новой технологии будут выпускаться только чипы памяти объёмом 512 Мбайт, однако в самое ближайшее время компания намерена перевести на новую норму изготовления и другие типы памяти семейства DRAM.

По словам представителей компании, переход к новой технологической норме поможет на 50 процентов увеличить эффективность производства. Новый техпроцесс позволит уменьшить размер чипа, увеличить количество чипов на одной кремниевой пластине и снизить итоговую стоимость модулей памяти.