IBM и Micron Technology объявили о намерении серийно выпускать новую память, для изготовления которой впервые будет применена технология CMOS с межслойными соединениями (through-silicon via, TSV). Речь идет о памяти под названием Hybrid Memory Cube (HMC), представленной в сентябре на конференции Intel для разработчиков.

На Конференции Intel для разработчиков в Сан-франциско генеральный директор Intel по технологиям Джастин Раттнер (Justin Rattner) представил разработку под названием Hybrid Memory Cube (HMC) — новое слово в сегменте DRAM-памяти. Над ее созданием Intel трудилась совместно с Micron.