Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа — с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.

Память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) имеет потенциал стать альтернативой оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти.

Для записи информации в PRAM используются разные фазовые состояния материала – кристаллическое и аморфное. Изменение состояния происходит под действием электрических импульсов. Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников.

Полупроводниковый гигант планирует в рамках IDF озвучить новые подробности относительно собственного типа памяти.

Пока лишь известно, что компания Intel в данный момент готовит производство своей собственной памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), которая носит обозначение PRAM.