Университетский колледж Лондона (UCL) стал местом, где впервые удалось создать чипы «резистивной памяти с произвольным доступом» (Resistive RAM, ReRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях. Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти, уверены исследователи.

О разработке первого прототипа высокоскоростной энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) сообщила компания Elpida Memory.