Компьютерная память нового типа
Категории: Техника » Компьютеры
Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM).
Категории и теги: Техника » Компьютеры » Память, FeTRAM, Разработка, Компьютер, RAM, Нанотехнологии.
Новая методика предусматривает использование кремниевых нанопроводов и «сегнетоэлектрического полимера» — материала, изменяющего полярность при приложении электрического поля. Исследователи называют подобную структуру «сегнетоэлектрическим транзистором».
Предполагается, что микрочипы, изготовленные по технологии FeTRAM, будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с современной флеш-памятью. Экономия, как отмечается, теоретически может достигать 99%.
Другое достоинство FeTRAM — высокое быстродействие, потенциально превышающее показатели скорости передачи данных статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM). При этом микрочипы FeTRAM будут энергонезависимыми, то есть смогут хранить информацию при отсутствии питания.
Впрочем, пока технология FeTRAM находится на ранней стадии развития, и сроки выпуска коммерческих продуктов на её основе не оговариваются. Но не исключено, что рано или поздно FeTRAM-чипы появятся в компьютерах и портативных гаджетах. Разработчики уже подали патентную заявку на своё изобретение.
Теги: Память, FeTRAM, Разработка, Компьютер, RAM, Нанотехнологии
Категория: Техника » Компьютеры
| 29-09-2011, 00:49 | Просмотров: 4 182 | Комментарии (0)
