3D V-NAND поможет Intel создать 10 Тб SSD накопители - Intel 3D V-NAND Флеш память » 2024

Именно такой целью задалась Intel. На недавней встрече инвесторов, Intel объявила, что во второй половине 2015 года совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies начнет массовое производство многослойных чипов на 256 и 384 ГБ.

В последнем случае будут использоваться ячейки с ьремя уровнями. Трехмерная структура новых чипов 3D-NAND будет иметь 32 слоя кристаллов, которые соединены между собой вертикально рядом специальных структур, аналогично традиционной TSV (through silicon via). Появление чипа флэш-памяти с такой емкостью положит начало для создания твердотельных жестких дисков огромного объема, что просто не доступно сегодня. Вице-президент отдела Intel, занимающегося энергонезависимой памятью, Роб Крук (Rob Crooke) считает, что в ближайшие два года, емкость SSD на основе новой технологии может превышать 10 терабайт. Для сравнения, компании SanDisk, чтобы установить емкость SSD в 4 ТБ на основе обычной планарной технологии, пришлось использовать 64 чудовищно дорогих чипа емкостью 512 Гбит eMLC (64 Гб), каждый из которых несет четыре чипа емкостью 128 гигабайт в одной микросхеме. Эти чипы производятся с использованием современных технологических процессов, что увеличивает их стоимость, но не добавляет надежности.

Но "трехмерные" чипы Intel-Micron емкостью 256 и 384 гигабит (32 и 48 ГБ, соответственно) будут использовать более простые и намного дешевле технологические процессы, и в то же время - более надежные. К сожалению, о каком именно техпроцессе идет речь, Intel до сих пор молчит. Но работающие прототипы SSD на основе 256-гигабитный "трехмерных" чипов уже существуют, и один из них был показан в приведенном выше случае. Следует отметить, что Samsung также активно производит "трехмерную" флэш-памяти: ее 128-гигабитные чипы имеют 24 или 32 слоя и используют необычно большой по сегодняшним меркам технологический стандарт - 42 нанометра. "Видимая емкость" этих чипов составляет 86 Гбит. Кажется, Samsung осторожничает, желая любой ценой избежать гипотетических проблем с новой технологией. На этом фоне, проект Intel-Micron, который начинается сразу же с емкости 256 Гбит, выглядит гораздо более амбициозным, но и стоимость конечного продукта при таком подходе будет значительно ниже. И от этого, естественно, выиграют и конечные пользователи.

Но даже если новые чипы Intel будут иметь лучшее соотношение цены к емкости, возможности альянса Intel-Micron для их производства не позволяют говорить о серьезном влиянии на рынок NAND. По ChinaFlashMarket.com, завод альянса IMFT может производить около 70 тыс. 300-миллиметровых пластин в месяц, а это количество включает в себя различные типы памяти. Использование заводов IMFS и MTV может дать больше 80 и 40 тыс. 300мм пластин в месяц, но это не идет ни в какое сравнение с мощностями, доступными для Samsung. Только один из заводов Южно-Кореиского гиганта, специально построен для производства новых видов флэш-памяти, и способен поставлять 100 000 пластин в месяц, а остальные производственные мощности Samsung, подходящих для этой цели, могут поставить более 400 тысяч пластин за тот же период времени.

Другими словами, новый мульти-чип флэш-памяти Intel, возможно, не произведет массовую революцию на рынке твердотельных накопителей в целом. Но он сделает вместительные модели более доступными для пользователей и позволит компании укрепить свои позиции в отрасли микроэлектроники. Ожидается, что общий объем дохода от предприятий Intel, занимающиеся производством и продажей флеш-памяти NAND и твердотельных накопителей на ней, в исходящем 2014 году составит примерно 2 миллиарда долларов США, а появление новых 256-гигабит многослойных чипов позволит увеличить эту цифру в ближайшие годы.

0

---

Новое по теме: Компьютеры

Тематические новости: