Диоды Шоттки второго поколения

Диоды Шоттки второго поколения



Наука

Во время конференции по силовой электронике (Applied Power Electronics Conference, APEC) в Далласе компания Infineon Technologies продемонстрировала диоды Шоттки второго поколения, изготовленные на основе соединений карбида кремния (silicon carbide, SiC). Новые устройства обеспечивают минимум вдвое лучшие характеристики по величине тока и обладают более высокой стойкостью к перегрузкам, что дает возможность применять их в схемах с большими пусковыми токами.

Диоды Шоттки на основе карбида кремния позволят разработчикам полупроводниковых элементов создавать устройства меньшего размера при тех же, или лучших характеристиках по сравнению с предыдущим поколением, при этом себестоимость изготовления может быть снижена на 30-50%. Новая разработка идеально подходит для применения в схемах активной компенсации импульсной нагрузки (Power Factor Correction, PFC) в соответствующих блоках питания.

Рост рынка PFC, как ожидается, будет достаточно стремительным благодаря существованию европейских норм, требующих реализации таких схем в импульсных блоках питания мощностью более 75 Вт. Прогнозы по увеличению объема рынка – от 1,2 млрд. устройств в 2006 г. до 2,1 млрд. в 2011 г., с ежегодным приростом около 12,3%.

Существующие образцы диодов Шоттки на основе карбида кремния доступны в исполнении, рассчитанном на напряжение до 600 В. В качестве примера цен приводится модель IDT04S60C – она стоит по 1,8 долл. за штуку в партиях по 10 тыс. шт.

По материалам: 3dnews.ru



Теги: Диоды, Шоттки, Электроника, Ток, Карбид, Кремний, IDT04S60C




Новое по теме: Наука


Тематические новости:


Категория: Техника » Наука
| 24-03-2006, 07:40 | Просмотров: 4040 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (0,0339).