Ученые разработали генноинженерные конструкции, предназначенные для хранения информации у синтетических организмов. Они способны записывать, хранить и перезаписывать информацию. Работа опубликована в журнале Proceedings of the National Academy of Sciences, ее краткое содержание приводит сайт NatureNews.
|
Университетский колледж Лондона (UCL) стал местом, где впервые удалось создать чипы «резистивной памяти с произвольным доступом» (Resistive RAM, ReRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях. Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти, уверены исследователи.
|
Спустя практически две недели после анонса глобальной версии Samsung Galaxy S III, в Японии появилась локальная версия флагманского смартфона Samsung. Изделие удалось приметить на сайте сотового оператора NTT DoCoMo. Любопытно, что «японский» Samsung Galaxy S III существенно отличается от своего ранее представленного собрата.
|
|
|
Компания Micron Technology объявила о создании своего первого «полнофункционального» модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому внедрению новинки в 2013 году.
|
CPU-Z 1.60.1 - Программа отображает различную информацию о вашем процессоре, а именно: название и производитель, техпроцесс изготовления, частота, коэффициент умножения частоты, частично определяется "разогнанность" процессора. Кроме того, представляется информация о кэшах первого и второго уровня, поддерживаемых наборах комманд и прочее.
|
По мнению авторов опыта, сотовая структура из крошечных магнитов способна служить средством хранения и даже обработки информации, работающим по принципу нейронной сети.
|
...
Новый прозрачный чип памяти разработали специалисты из университета Райса. Чип достаточно гибкий для того, чтобы его можно было сгибать как бумагу. Кроме того, он выдерживает температуру до 538 градусов Цельсия. Чип можно будет использовать в качестве флеш-памяти в USB-накопителях, компьютерах и телефонах.
|
Впервые анонсированная на мероприятиях Storage Visions 2012 и CES 2012 разработка OCZ Technology в области твердотельных накопителей, получившая название æonDrive, была представлена в ходе выставки CeBIT.
|
О разработке первого прототипа высокоскоростной энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) сообщила компания Elpida Memory.
|
Компания Venray Technology предложила новый подход к проектированию и производству микропроцессоров. Идея заключается в интеграции процессора непосредственно в микросхему динамической памяти с произвольным доступом.
|
Исследователи сумели сохранить один байт всего на 96 атомах, в то время как современные жёсткие диски тратят на каждый байт по полмиллиарда атомов.
|
Учёные из IBM представили на форуме IEEE International Electron Devices Meeting в США несколько экспериментальных исследовательских проектов, которые могут привести к значительным сдвигам в появлении более компактных, быстрых и мощных компьютерных чипов. Были показаны: трековая память (racetrack memory), графеновый чип и первый транзистор с длиной затвора менее 10 нм.
|
IBM и Micron Technology объявили о намерении серийно выпускать новую память, для изготовления которой впервые будет применена технология CMOS с межслойными соединениями (through-silicon via, TSV). Речь идет о памяти под названием Hybrid Memory Cube (HMC), представленной в сентябре на конференции Intel для разработчиков.
|
Sony планирует представить разработанный ее специалистами формат сменных носителей на базе флеш-памяти типа NAND. Карточки, которые будут выпущены в 2012 году, по замыслу производителя, предназначены для «высокоскоростной записи видео». К участию в выработке спецификаций стандарта Sony пригласила SanDisk.
|
В первой половине августа текущего года компания Advanced Micro Devices (AMD) во всеуслышание заявила о намерении выйти на совершенно новый для себя рынок и представила на суд потребителей первые собственные 240-контактные DIMM-модули оперативной памяти DDR3, предназначенные для применения в составе настольных компьютерных систем. Теперь же на официальном сайте именитого чипмейкера появилась подробная информация о технических характеристиках предлагаемых им продуктов такого рода.
|
Компания Apacer представила сменный носитель на базе флэш-памяти, который она называет самой быстрой в мире картой формата microSDXC объемом 64 ГБ.
|
Крупнейший в мире производитель памяти DRAM, компания Samsung Electronics сообщила, что ожидает завершения стандартизации решений на основе технологии многоуровневой памяти HMC к концу 2012 году, затем она приступит к производству такой продукции. HMC должна разрушить ограничения, которые не позволяют достаточно задействовать мощности многоядерных процессоров.
|
Компания MOSAID Technologies объявила о начале поставок ознакомительных образцов самой быстрой в отрасли флэш-памяти типа NAND. Микросхема MOSAID HLNAND2 (HyperLink NAND) плотностью 256 Гбит способна работать со скоростью до 800 МБ/с в расчете на один канал. Это вдвое больше, чем скорость любой другой памяти типа NAND, доступной сейчас на рынке.
|
Компании Thin Film Electronics ASA (Thinfilm) и PARC (подразделение Xerox), объявили об изготовлении работающего прототипа первой в мире напечатанной энергонезависимой памяти, в схеме адресации которой используются комплементарные органические цепи — органический аналог схем, изготавливаемых по технологии CMOS. Память Thinfilm Addressable Memory состоит из «печатных» ячеек памяти на базе полимеров, созданных в Thinfilm, и транзисторов n-типа и p-типа, созданных специалистами PARC.
|
Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM).
|
Группе физиков из Японии, Китая и США впервые удалось построить на практике квантовый компьютер по архитектуре фон Неймана - то есть с физическим разделением квантового процессора и квантовой памяти. Статья ученых появится в журнале Science, а ее препринт доступен на сайте arXiv.org.
|
Организация DDR PHY Interface (DFI) Technical Group опубликовала предварительный вариант спецификации DFI 3.0. Это новейшая версия отраслевого стандарта, определяющего протокол взаимодействия между контроллером памяти DDR и интерфейсом физического уровня (PHY).
|
На Конференции Intel для разработчиков в Сан-франциско генеральный директор Intel по технологиям Джастин Раттнер (Justin Rattner) представил разработку под названием Hybrid Memory Cube (HMC) — новое слово в сегменте DRAM-памяти. Над ее созданием Intel трудилась совместно с Micron.
|
Отраслевая организация JEDEC Solid State Technology Association, занятая стандартизацией в области памяти, намерена завершить разработку спецификации DDR4 к середине будущего года. Основные параметры нового стандарта, опубликованные JEDEC, позволяют охарактеризовать его как существенный шаг на пути повышения производительности и снижения энергопотребления памяти.
|
Кто бы мог подумать, что такой простой материал как стекло может служить в качестве накопителя, то есть постоянной компьютерной памяти! Более того, стеклянный накопитель оказывается более стабильным и долговечным, чем присутствующие сегодня на рынке современные средства хранения данных, например, винчестеры. О своем изобретении рассказали ученые Саутгемптонского университета.
|
27 мая 2012 08:26
27 мая 2012 08:25
27 мая 2012 08:25
27 мая 2012 08:22
27 мая 2012 08:21
27 мая 2012 08:21
Технологии:
Роботы |
Медицина |
Авто, Мото |
Компьютеры |
Техника Наука |
Аудио Видео Быт. |
Телефоны |
Инет. технологии |
Развлечения |
Разное
Программы:
Графика |
Утилиты |
Интернет |
Мультимедиа |
Антивирусы |
Запись CD, DVD |
Офисные программы |
Игры, скринсейверы
Статьи |
О сайте |
Объявления |
Комментарии |
Избранное |
Чат |
Rss |
Карта сайта |
Обратная связь
Copyright 2005 - 2012 © GizMod.Ru, E-Mail редакции: gizmobi@yandex.ru.
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 4 (0,0437).
27 мая 2012 08:27