Micron и Sony создали ReRAM-чип плотностью 16 Гбит
Категории: Техника » Компьютеры
Группа специалистов компаний Micron Technology и Sony создала микросхему памяти типа ReRAM (resistive random access memory) плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 27 нм. Разработка была представлена на недавнем мероприятии ISSCC 2014.
Категории и теги: Техника » Компьютеры » Micron, Sony, ReRAM, Память, Чип.
По словам разработчиков, они видят место ReRAM в нише между DRAM и NAND. Дело в том, что им удалось создать более быстродействующую память, чем память ReRAM, показанная на ISSCC 2013 компаниями SanDisk и Toshiba и позиционируемая как замена NAND. Для сравнения: микросхема SanDisk и Toshiba в режиме чтения характеризуется задержкой 40 мкс, в режиме записи — 230 мкс, тогда как у микросхемы Micron и Sony эти параметры имеют значения 2 и 10 мкс соответственно.
Справедливости ради стоит сказать, что быстродействующая память ReRAM уже была создана ранее, но ее плотность была гораздо меньше. В данном случае, образно говоря, удалось совместить скорость DRAM и плотность NAND.
Когда память появится в серийных устройствах, разработчики не говорят, но Sony уже рассматривает возможные варианты ее применения.
Категория: Техника » Компьютеры
| 18-02-2014, 23:49 | Просмотров: 2 499 | Комментарии (0)
