Инвестиции компании Intel

Инвестиции компании Intel
Компьютеры 2

Компания Intel начинает инвестировать полупроводниковый завод, который находится в городе Далянь (Китай)....


| Далее »»» | 24-10-2015, 12:13 | Просм: 2 063 | Коммент (0)



Micron и Sony создали ReRAM-чип плотностью 16 Гбит

Micron и Sony создали ReRAM-чип плотностью 16 Гбит
Компьютеры 1

Группа специалистов компаний Micron Technology и Sony создала микросхему памяти типа ReRAM (resistive random access memory) плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 27 нм. Разработка была представлена на недавнем мероприятии...


| Далее »»» | 18-02-2014, 23:49 | Просм: 2 155 | Коммент (0)



SSD-диски Micron на 20-нм чипах Crucial M500

SSD-диски Micron на 20-нм чипах Crucial M500
Компьютеры 2

Компания Micron Technology представила новую линейку твердотельных накопителей Crucial M500 Series. Их главной особенностью является использование передовых MLC NAND-микросхем, выполненных по 20-нм проектным нормам. Это позволило...


| Далее »»» | 15-01-2013, 19:55 | Просм: 1 849 | Коммент (0)



DDR4 на шаг ближе к серии

DDR4 на шаг ближе к серии
Компьютеры 1

Компания Micron Technology объявила о создании своего первого «полнофункционального» модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому...


| Далее »»» | 8-05-2012, 20:40 | Просм: 3 171 | Коммент (0)



Первый NAND-кристалл емкостью 128 Гбит

Первый NAND-кристалл емкостью 128 Гбит
Компьютеры 0

Intel и Micron объявили о том, что совместными усилиями компаниям удалось создать первый в мире кристалл NAND-памяти емкостью 128 Гбит. Размеры новинки очень малы и позволяют создавать карты памяти для мобильных устройств, а также...


| Далее »»» | 8-12-2011, 19:30 | Просм: 2 901 | Коммент (0)



Выпуск Hybrid Memory Cube поручили IBM

Выпуск Hybrid Memory Cube поручили IBM
Компьютеры 0

IBM и Micron Technology объявили о намерении серийно выпускать новую память, для изготовления которой впервые будет применена технология CMOS с межслойными соединениями (through-silicon via, TSV). Речь идет о памяти под названием Hybrid...


| Далее »»» | 2-12-2011, 18:26 | Просм: 3 846 | Коммент (0)



Реклама






Samsung обещает объёмную память в 2014 году

Samsung обещает объёмную память в 2014 году
Компьютеры 0

Крупнейший в мире производитель памяти DRAM, компания Samsung Electronics сообщила, что ожидает завершения стандартизации решений на основе технологии многоуровневой памяти HMC к концу 2012 году, затем она приступит к производству такой...


| Далее »»» | 9-11-2011, 19:47 | Просм: 3 524 | Коммент (0)



Micron разработала NOR-память нового поколения

Micron разработала NOR-память нового поколения
Компьютеры 0

Компания Micron заявила о выпуске NOR-памяти с интерфейсом SPI (Serial Peripheral Interface), которая отличается высокими для своего класса производительностью и ёмкостью. Новые чипы имеют ёмкость от 256 до 1 Гбит и характеризуется...


| Далее »»» | 30-08-2011, 21:09 | Просм: 2 952 | Коммент (1)



Разработан новый тип памяти для накопителей

Разработан новый тип памяти для накопителей
Компьютеры 1

Свет увидел экспериментальный накопитель, созданный силами учёных Калифорнийского университета (Сан-Диего). Специфика нового накопителя состоит в том, что он основан на памяти, созданной по технологии фазового сдвига (phase-change...


| Далее »»» | 20-06-2011, 20:52 | Просм: 3 237 | Коммент (0)



Intel и Micron представят 25-нм флеш-память

Intel и Micron представят 25-нм флеш-память
Компьютеры 0

Intel и Micron Technology собираются восстановить технологическое лидерство на рынке NAND, первыми представив изготовленные по 25-нм техпроцессу чипы. Флеш-память основана на многоуровневых ячейках (MLC), ёмкость микросхем составляет 8...


| Далее »»» | 1-02-2010, 13:43 | Просм: 3 003 | Коммент (0)



Создан SSD со скоростью чтения более 1 ГБ/с

Создан SSD со скоростью чтения более 1 ГБ/с
Компьютеры 0

Инженеры компании Micron создали твердотельный накопитель, демонстрирующий потенциал этой технологии. Прототип устройства под кодовым названием Washington подключается к ПК с помощью интерфейса PCI Express и способен передавать данные в...


| Далее »»» | 2-12-2008, 14:57 | Просм: 2 545 | Коммент (0)



Новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной

Новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной
Компьютеры 0

Компания IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron, объявили о разработке новой флэш-памяти типа NAND с увеличенной скоростью передачи данных. По мнению инженеров, их достижение станет мощным импульсом для...


| Далее »»» | 4-02-2008, 15:02 | Просм: 3 203 | Коммент (0)



 







Copyright 2005 - 2022 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (1.32846).