Samsung: миниатюрные чипы DDR3 плотностью 2 Гбит

Samsung: миниатюрные чипы DDR3 плотностью 2 Гбит



Компьютеры

Южнокорейский производитель памяти начал поставки ознакомительных образцов самых маленьких в мире микросхем DDR3 плотностью 2 Гбит. Новинки произведены по нормам 50 нм и подходят для изготовления модулей памяти объемом до 16 ГБ, предназначенных для ПК и серверов.

Как утверждает производитель, новые микросхемы на 60 превосходят по быстродействию приборы DDR2 эквивалентной плотности. Модули памяти, изготовленные с использованием новых 2-Гбит чипов DDR3, примерно на 40% экономичнее с точки зрения энергопотребления, чем модули, в которых используются 1-Гбит приборы DDR3.

Миниатюрные размеры микросхем позволяют размещать до 8 ГБ памяти на печатной плате модуля RIMM (registered in-line memory module), или 4 ГБ на плате SODIMM (small outline dual in-line memory module) и UDIMM (unregistered in-line memory module), не прибегая к монтажу в несколько «этажей». Максимальный объем RIMM, в случае использования компонентов, содержащих в одном корпусе по два чипа, составляет 16 ГБ.

Приборы плотностью 2 Гбит поддерживают скорости передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении питания 1,5 или 1,35 В, что в 1,6 раза превосходит показатель 800 Мбит/с, достижимый с применением компонентов, содержащих в одном корпусе по два чипа плотностью 1 Гбит. Кроме того, уменьшение числа чипов снижает тепловыделение.

Массовый выпуск указанных микросхем начнется позже в текущем году.

По материалам: IXBT.com



Теги: Samsung, Чип, Память, Плотность, DDR3




Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 30-09-2008, 19:43 | Просмотров: 2068 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 4 (0,0332).