Samsung: миниатюрные чипы DDR3 плотностью 2 Гбит

Южнокорейский производитель памяти начал поставки ознакомительных образцов самых маленьких в мире микросхем DDR3 плотностью 2 Гбит. Новинки произведены по нормам 50 нм и подходят для изготовления модулей памяти объемом до 16 ГБ, предназначенных для ПК и серверов.

Как утверждает производитель, новые микросхемы на 60 превосходят по быстродействию приборы DDR2 эквивалентной плотности. Модули памяти, изготовленные с использованием новых 2-Гбит чипов DDR3, примерно на 40% экономичнее с точки зрения энергопотребления, чем модули, в которых используются 1-Гбит приборы DDR3.

Миниатюрные размеры микросхем позволяют размещать до 8 ГБ памяти на печатной плате модуля RIMM (registered in-line memory module), или 4 ГБ на плате SODIMM (small outline dual in-line memory module) и UDIMM (unregistered in-line memory module), не прибегая к монтажу в несколько «этажей». Максимальный объем RIMM, в случае использования компонентов, содержащих в одном корпусе по два чипа, составляет 16 ГБ.

Приборы плотностью 2 Гбит поддерживают скорости передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении питания 1,5 или 1,35 В, что в 1,6 раза превосходит показатель 800 Мбит/с, достижимый с применением компонентов, содержащих в одном корпусе по два чипа плотностью 1 Гбит. Кроме того, уменьшение числа чипов снижает тепловыделение.

Массовый выпуск указанных микросхем начнется позже в текущем году.

По материалам: IXBT.com