Технология 3D V-NAND в первых SSD-дисках Samsung

Технология 3D V-NAND в первых SSD-дисках Samsung



Компьютеры

Компания Samsung анонсировала первые в отрасли твердотельные накопители, выполненные с применением передовой технологии трёхмерной вертикальной NAND-памяти — 3D V-NAND.

Названная методика предусматривает использование структуры вертикальных ячеек, а также технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных межсоединений, пронизывающих трёхмерный массив ячеек. По сравнению с обычной флеш-памятью технология 3D V-NAND позволяет увеличить надёжность работы накопителей (в 2-10 раз) и поднять скорость передачи данных (до двух раз).

Представленные SSD-диски Samsung относятся к корпоративному классу: они предназначены для использования в серверах и оборудовании для центров обработки данных. Накопители выполнены в формфакторе 2,5 дюйма, их размеры — 100х70х7 мм.

Для подключения к ПК используется интерфейс Serial ATA 3.0 (6 Гбит/с). Ёмкость составляет 480 и 960 Гбайт.

Показатели скорости передачи данных Samsung не называет, отмечая только, что быстродействие в режимах последовательной и произвольной записи «более чем на 20% выше» по сравнению со стандартными изделиями. О цене SSD-дисков также не сообщается.



По материалам: www.3dnews.ru



Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 15-08-2013, 15:31 | Просмотров: 1408 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 2 (0,0009).