Первая 3D V-NAND память сошла с конвеера

Первая 3D V-NAND память сошла с конвеера



Компьютеры

Компания Samsung Electronics объявила о начале коммерческого производства первых многослойных чипов флэш-памяти в мире TLC NAND емкостью 256 Гбит.

Новый более вместительный чип 3D V-NAND поможет компании сделать твердотельные накопители и другие устройства, которые используют флэш-память, более доступными для покупателя, и, следовательно, более популярными, что, несомненно, окажет положительное влияние на долю рынка Samsung в этом секторе.

Чипы емкостью 256 Гбит основаны на уже испытанной архитектуре 3D Charge Trap (CTF), в котором ячейки соединяются вертикально и образуют массив из 48-ми слоев, которые соединяются 1,8 млрд. проводниками. Отверстия образованы при помощи специального сухого травления (etching). Каждый чип состоит из более чем 85,3 млрд. ячеек и способен хранить 32 Гб данных.

Первая 3D V-NAND память сошла с конвеера

Согласно информации, опубликованной разработчиком, новые 48-слойные чипы TLC потребляют на 30% меньше энергии, чем их предшественники, с на половину меньшей вместительностью - 128 Гбит. Они также на 40% меньше, что может указывать на более тонкий техпроцесс, но точные цифры в нанометрах Samsung не раскрывает. Естественно, чем меньше, и более емче кристалл, тем меньше затраты на его производство. Компания надеется, что третье поколение памяти 3D V-NAND предоставит возможность сделать доступные для обычных потребителей SSD емкостью 1, а то и 2 ТБ. Кроме того, эта память поможет Samsung укрепить свои позиции на корпоративном рынке с новым, более емким решения PCIe NVMe и SAS.

Первая 3D V-NAND память сошла с конвеера

Накопитель PM1633a с интерфейсом SAS 12Gbps, предназначенное для крупных центров обработки данных, уже использует новые чипы 3D V-NAND и имеет емкость около 16 терабайт, или, точнее, 15.36 Tб. Плотность упаковки данных на устройстве, выполненом в форм-факторе 2,5 ", выше, чем на сегодняшний день на традиционных механических жестких дисках.

Кроме того, специальная стойка 2U может вместить 48 таких дисков. Общая вместимость в этом случае 768 терабайт - что нужно центр большим ЦОД/ЦХД. По аналогии с JBOD (Just a Bunch of Disks) Samsung называет это устройство JBOF - Just a Bunch of Flash, так как собственного процессора она не имеет. Обработка два миллиона IOPS - это потенциал нового массива флэш - полностью возлагается на внешнюю систему.



По материалам: 3dnews.ru

Теги: Samsung, 3D V-NAND, TLC, Память, Многослойная




Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 12-08-2015, 22:11 | Просмотров: 1002 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (0,0583).