Новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной
Категории: Техника » Компьютеры
Компания IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron, объявили о разработке новой флэш-памяти типа NAND с увеличенной скоростью передачи данных.
По мнению инженеров, их достижение станет мощным импульсом для развития индустрии накопителей и систем хранения данных. Особые надежды возлагаются на сферу твёрдотельных дисков SSD (Solid State Drive) и гибридных жёстких дисков.Категории и теги: Техника » Компьютеры » IMFT, Intel, Micron, Флеш, Память, NAND, Разработка, Скорость.
Высокоскоростная флэш-память создавалась компанией IMFT в соответствии с последней версией спецификаций ONFi 2.0. Данные технические условия утверждены одноимённой рабочей группой ONFi (Open NAND Flash Interface). В её состав входят более 70 компаний, в том числе Hynix, Intel, Micron, Phison, Sony, STMicroelectronics. Спецификации ONFi 2.0 оговаривают улучшение быстродействия флэш-памяти NAND, в первую очередь, за счёт ускорения работы интерфейса ввода-вывода. Для этого принят ряд действенных мер, в том числе использована синхронная передача данных по методу DDR (Double Data Rate), который позволяет удвоить ширину пропускания канала без увеличения частоты. В результате участниками рабочей группы ONFi удалось улучшить пропускную способность интерфейса флэш-памяти до 133 Мб/с.
Специалисты компании IMFT пошли ещё дальше, предложив использовать высокоплотные многоуровневые (Multi-Level Cell, MLC) микросхемы флэш-памяти нового поколения. В итоге максимальную скорость чтения для NAND-продуктов удалось поднять до 200 Мб/с, а скорость записи - до 100 Мб/с. Для сравнения, скоростные характеристики традиционной флэш-памяти с одноуровневой (Single-Level Cell, SLC) архитектурой и асинхронным интерфейсом ограничены 40 Мб/с и 20 Мб/с для чтения и записи соответственно. Первые пробные партии многоуровневых NAND-микросхем от IMFT появились ещё в прошлом году. Они выпущены на собственных производственных мощностях с использованием норм 50-нм техпроцесса. По планам разработчиков, новая высокоскоростная флэш-память с MLC-архитектурой, соответствующая спецификациям ONFi 2.0, вступит в стадию массового производства только в будущем году. Кроме того, специалистами Intel и Micron подготовлены тестовые образцы одноуровневых микросхем NAND-памяти с синхронным интерфейсом, которые соответствуют техническим требованиям ONFi 2.0. Данные SLC-чипы имеют ёмкость 8 Гбит и производятся по 50-нм техпроцессу силами компании IMFT. Статус серийных продуктов им будет присвоен уже во второй половине текущего года. По материалам: 3D News
Категория: Техника » Компьютеры
| 4-02-2008, 15:02 | Просмотров: 3 437 | Комментарии (0)
