Компьютерная память нового типа

Компьютерная память нового типа



Компьютеры

Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM).

Новая методика предусматривает использование кремниевых нанопроводов и «сегнетоэлектрического полимера» — материала, изменяющего полярность при приложении электрического поля. Исследователи называют подобную структуру «сегнетоэлектрическим транзистором».

Предполагается, что микрочипы, изготовленные по технологии FeTRAM, будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с современной флеш-памятью. Экономия, как отмечается, теоретически может достигать 99%.

Другое достоинство FeTRAM — высокое быстродействие, потенциально превышающее показатели скорости передачи данных статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM). При этом микрочипы FeTRAM будут энергонезависимыми, то есть смогут хранить информацию при отсутствии питания.

Впрочем, пока технология FeTRAM находится на ранней стадии развития, и сроки выпуска коммерческих продуктов на её основе не оговариваются. Но не исключено, что рано или поздно FeTRAM-чипы появятся в компьютерах и портативных гаджетах. Разработчики уже подали патентную заявку на своё изобретение.






Новое по теме: Компьютеры


Тематические новости:


Категория: Техника » Компьютеры
| 29-09-2011, 00:49 | Просмотров: 3185 | Комментарии (0)

Реклама

 

Загрузка ...

 

 




Комментарии:


Добавление комментария:

 Ваше Имя:
 Ваш E-Mail:
Введите код:

( Ctrl + Enter )

 






Copyright 2005 - 2016 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 3 (0,0339).