Инвестиции компании Intel

Инвестиции компании Intel
Компьютеры
+2

Компания Intel начинает инвестировать полупроводниковый завод, который находится в городе Далянь (Китай)....

| Далее »»» | 24-10-2015, 12:13 | Просм: 1869 | Коммент (0)



Реклама






Micron и Sony создали ReRAM-чип плотностью 16 Гбит

Micron и Sony создали ReRAM-чип плотностью 16 Гбит
Компьютеры
+1

Группа специалистов компаний Micron Technology и Sony создала микросхему памяти типа ReRAM (resistive random access memory) плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 27 нм. Разработка была представлена на недавнем мероприятии...

| Далее »»» | 18-02-2014, 23:49 | Просм: 1999 | Коммент (0)



SSD-диски Micron на 20-нм чипах Crucial M500

SSD-диски Micron на 20-нм чипах Crucial M500
Компьютеры
+2

Компания Micron Technology представила новую линейку твердотельных накопителей Crucial M500 Series. Их главной особенностью является использование передовых MLC NAND-микросхем, выполненных по 20-нм проектным нормам. Это позволило увеличить...

| Далее »»» | 15-01-2013, 19:55 | Просм: 1712 | Коммент (0)



Реклама






DDR4 на шаг ближе к серии

DDR4 на шаг ближе к серии
Компьютеры
+1

Компания Micron Technology объявила о создании своего первого «полнофункционального» модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому...

| Далее »»» | 8-05-2012, 20:40 | Просм: 3018 | Коммент (0)



Первый NAND-кристалл емкостью 128 Гбит

Первый NAND-кристалл емкостью 128 Гбит
Компьютеры
0

Intel и Micron объявили о том, что совместными усилиями компаниям удалось создать первый в мире кристалл NAND-памяти емкостью 128 Гбит. Размеры новинки очень малы и позволяют создавать карты памяти для мобильных устройств, а также...

| Далее »»» | 8-12-2011, 19:30 | Просм: 2759 | Коммент (0)



Выпуск Hybrid Memory Cube поручили IBM

Выпуск Hybrid Memory Cube поручили IBM
Компьютеры
-1

IBM и Micron Technology объявили о намерении серийно выпускать новую память, для изготовления которой впервые будет применена технология CMOS с межслойными соединениями (through-silicon via, TSV). Речь идет о памяти под названием Hybrid...

| Далее »»» | 2-12-2011, 18:26 | Просм: 3705 | Коммент (0)



Samsung обещает объёмную память в 2014 году

Samsung обещает объёмную память в 2014 году
Компьютеры
0

Крупнейший в мире производитель памяти DRAM, компания Samsung Electronics сообщила, что ожидает завершения стандартизации решений на основе технологии многоуровневой памяти HMC к концу 2012 году, затем она приступит к производству такой...

| Далее »»» | 9-11-2011, 19:47 | Просм: 3348 | Коммент (0)



Micron разработала NOR-память нового поколения

Micron разработала NOR-память нового поколения
Компьютеры
0

Компания Micron заявила о выпуске NOR-памяти с интерфейсом SPI (Serial Peripheral Interface), которая отличается высокими для своего класса производительностью и ёмкостью. Новые чипы имеют ёмкость от 256 до 1 Гбит и характеризуется...

| Далее »»» | 30-08-2011, 21:09 | Просм: 2819 | Коммент (1)



Разработан новый тип памяти для накопителей

Разработан новый тип памяти для накопителей
Компьютеры
+1

Свет увидел экспериментальный накопитель, созданный силами учёных Калифорнийского университета (Сан-Диего). Специфика нового накопителя состоит в том, что он основан на памяти, созданной по технологии фазового сдвига (phase-change memory)....

| Далее »»» | 20-06-2011, 20:52 | Просм: 3100 | Коммент (0)



Объявления

 

Загрузка ...

 

 




Intel и Micron представят 25-нм флеш-память

Intel и Micron представят 25-нм флеш-память
Компьютеры
0

Intel и Micron Technology собираются восстановить технологическое лидерство на рынке NAND, первыми представив изготовленные по 25-нм техпроцессу чипы. Флеш-память основана на многоуровневых ячейках (MLC), ёмкость микросхем составляет 8 Гб,...

| Далее »»» | 1-02-2010, 13:43 | Просм: 2848 | Коммент (0)



Создан SSD со скоростью чтения более 1 ГБ/с

Создан SSD со скоростью чтения более 1 ГБ/с
Компьютеры
0

Инженеры компании Micron создали твердотельный накопитель, демонстрирующий потенциал этой технологии. Прототип устройства под кодовым названием Washington подключается к ПК с помощью интерфейса PCI Express и способен передавать данные в...

| Далее »»» | 2-12-2008, 14:57 | Просм: 2425 | Коммент (0)



Новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной

Новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной
Компьютеры
0

Компания IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron, объявили о разработке новой флэш-памяти типа NAND с увеличенной скоростью передачи данных. По мнению инженеров, их достижение станет мощным импульсом для...

| Далее »»» | 4-02-2008, 15:02 | Просм: 3069 | Коммент (0)



 







Copyright 2005 - 2021 © GizMod.Ru | GizModo.Ru | GizmoSoft.Ru | GizMobi.Ru
При републикации приветствуется ссылка на первоисточник.
Запросов: 5 (0,0294).